由于SSD硬盤容量不斷增大，NAND閃存也從之前的SLC、MLC逐漸轉(zhuǎn)向TLC、QLC，特別是QLC近年來是低端SSD繞不過去的選擇，它為人詬病的一個(gè)地方就是性能太慢，現(xiàn)在西數(shù)及鎧俠也新一代BiCS6閃存上優(yōu)化了QLC性能，提升了5倍。

QLC閃存不被大家喜歡主要是兩個(gè)原因，一個(gè)是可靠性較差，另一個(gè)就是寫入性能很弱雞，這都是QLC閃存的特性決定的，畢竟cell單元內(nèi)要控制4bit數(shù)據(jù)，編程寫入的時(shí)候比其他閃存要復(fù)雜很多，所以錯(cuò)誤率高，速度慢。

大家也見過QLC閃存的硬盤性能，雖然廠商給出的寫入速度超過1GB/s甚至2GB/s，但那都是靠著SLC緩存及全盤緩存、DRAM緩存之類的技術(shù)提升的，QLC原始寫入速度非常低，緩存外性能比HDD硬盤都要差，超過100MB/s的幾乎沒有。

西數(shù)及鎧俠目前的主力閃存BiCS5這一代中沒有QLC閃存類型，下一代的BiCS6閃存中會(huì)重新推出QLC閃存，并進(jìn)行了大量性能優(yōu)化，不僅核心面積低于其他廠商，而且編程速度(也就是寫入速度)提升到了60MB/s。

這是什么概念?雖然看起來還不高，但是上上代的BiCS4閃存中QLC編程速度只有9.7MB/s，當(dāng)前QLC閃存中編程速度最快的還是Intel的144層QLC閃存，速度40MB/s，其他廠商的多在30MB/s以內(nèi)。

簡(jiǎn)單來說，西數(shù)、鎧俠的BiCS6閃存中QLC速度比之前提升了5倍，比友商最快的QLC也提升了50%的性能，足以大幅改善QLC閃存SSD硬盤的寫入性能，具體要等成品再來看。

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