2022年的ISSCC國際固態(tài)電路大會(國際三大半導體頂級會議之一)將于2月24日舉行，廠商會在這次大會上展示最新的半導體制造技術(shù)，其中SK海力士會介紹最新的HBM3內(nèi)存技術(shù)，帶寬從此前的819GB/s提升到896GB/s。

HBM3已經(jīng)是HBM系列高帶寬內(nèi)存的第四代標準，之前三代分別是HBM、HBM2、HBM2E，其中SK海力士的HBM2E在2020年七月全球首家投入量產(chǎn)。

SK海力士去年8月份就首發(fā)了HBM3內(nèi)存，提供兩種容量，一是16GB，二是24GB，后者創(chuàng)下新紀錄，內(nèi)部通過TSV硅穿孔技術(shù)堆疊了多達12顆芯片，但是厚度依然控制在大約30微米，相當于一張A4紙的三分之一。

這次在ISSCC大會上展示的則是更快的新品，帶寬提升到了896GB/s，增長了9%。

當時的HBM3內(nèi)存帶寬是819GB/s，

要知道AMD在2015年首發(fā)的第一代HBM內(nèi)存中，4顆HBM、等效4096bit位寬才獲得了512GB/s的帶寬，現(xiàn)在HBM3一顆帶寬就幾乎翻倍。

可惜的是，HBM3內(nèi)存越來越貴，除了數(shù)據(jù)中心GPU/CPU之外，消費級顯卡、處理器上恐怕是見不到了。

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